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Infineon Carte d'évaluation KIT-XMC11-BOOT-001

Infineon Carte d'évaluation KIT-XMC11-BOOT-001, Technologie: Arduino, USB, Cœur du circuit: ARM Cortex M0, Nom de série du processeur: Processeur XMC1100, MPN: KITXMC11BOOT001TOBO1

EUR 17.50

1

Infineon Carte d'évaluation KIT-XMC13-BOOT-001

Infineon Carte d'évaluation KIT-XMC13-BOOT-001, Technologie: ARM Cortex, Cœur du circuit: ARM Cortex M0, Nom de série du processeur: Processeur XMC1300, MPN: KITXMC13BOOT001TOBO1

EUR 22.02

1

Infineon Carte d'évaluation KIT-XMC12-BOOT-001

Infineon Carte d'évaluation KIT-XMC12-BOOT-001, Technologie: ARM Cortex, Cœur du circuit: ARM Cortex M0, Nom de série du processeur: Processeur XMC1200, MPN: KITXMC12BOOT001TOBO1

EUR 22.02

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247 58 A 650 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247 58 A 650 V, 3 broches, MPN: IMW65R030M1HXKSA1

EUR 19.71

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,042 Ω, 58 A, PG-TO247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 0,042 Ω, 58 A, PG-TO247, Su foro, MPN: IMW65R030M1HXKSA1

EUR 19.71

1

Infineon Scheda di valutazione KIT-XMC13-BOOT-001, CPU ARM Cortex M0

Infineon Scheda di valutazione KIT-XMC13-BOOT-001, CPU ARM Cortex M0, Nome famiglia di processori: CPU XMC1300, MPN: KITXMC13BOOT001TOBO1

EUR 22.02

1

Infineon Scheda di valutazione KIT-XMC12-BOOT-001, CPU ARM Cortex M0

Infineon Scheda di valutazione KIT-XMC12-BOOT-001, CPU ARM Cortex M0, Nome famiglia di processori: CPU XMC1200, MPN: KITXMC12BOOT001TOBO1

EUR 22.02

1

Infineon MOSFET canal N,, PQFN 3,3 x 3,3 58 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, PQFN 3,3 x 3,3 58 A 100 V, 8 broches, MPN: ISZ0804NLSATMA1

EUR 1.69

1

Infineon Scheda di valutazione KIT-XMC11-BOOT-001, CPU ARM Cortex M0

Infineon Scheda di valutazione KIT-XMC11-BOOT-001, CPU ARM Cortex M0, Tecnologia: Arduino, USB, Nome famiglia di processori: CPU XMC1100, MPN: KITXMC11BOOT001TOBO1

EUR 17.50

1

Infineon Placa de evaluación KIT-XMC13-BOOT-001, con núcleo ARM Cortex M0

Infineon Placa de evaluación KIT-XMC13-BOOT-001, con núcleo ARM Cortex M0, Nombre de familia del procesador: CPU XMC1300, MPN: KITXMC13BOOT001TOBO1

EUR 22.02

1

Infineon Placa de evaluación KIT-XMC12-BOOT-001 de, con núcleo ARM Cortex M0

Infineon Placa de evaluación KIT-XMC12-BOOT-001 de, con núcleo ARM Cortex M0, Nombre de familia del procesador: CPU XMC1200, MPN: KITXMC12BOOT001TOBO1

EUR 22.02

1

Infineon Placa de evaluación KIT-XMC11-BOOT-001, con núcleo ARM Cortex M0

Infineon Placa de evaluación KIT-XMC11-BOOT-001, con núcleo ARM Cortex M0, Tecnología: Arduino, USB, Nombre de familia del procesador: CPU XMC1100, MPN: KITXMC11BOOT001TOBO1

EUR 17.50

1

Infineon MOSFET, IMW65R030M1HXKSA1, N-Canal-Canal, 58 A, 650 V, 3-Pin, PG-TO247 CoolSiC Silicio

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 58 A, 650 V, 3-Pin, PG-TO247 CoolSiC Silicio, MPN: IMW65R030M1HXKSA1

EUR 19.71

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0115 O, 0,0155 O, 58 A, PQFN 3,3 x 3,3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0115 O, 0,0155 O, 58 A, PQFN 3,3 x 3,3, Montaggio superficiale, MPN: ISZ0804NLSATMA1

EUR 1.69

1

Infineon MOSFET, ISZ0804NLSATMA1, N-Canal-Canal, 58 A, 100 V, 8-Pin, PQFN 3,3 mm x 3,3 mm OptiMOS 5 Si

Infineon MOSFET, N-Canal-Canal, 58 A, 100 V, 8-Pin, PQFN 3,3 mm x 3,3 mm OptiMOS 5 Si, MPN: ISZ0804NLSATMA1

EUR 1.69

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,042 Ω, 58 A, PG-TO247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 0,042 Ω, 58 A, PG-TO247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.7V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: CoolSiC, MPN: IMW65R030M1HXKSA1

EUR 17.63

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,042 Ω, 58 A, PG-TO247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 0,042 Ω, 58 A, PG-TO247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5.7V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: CoolSiC, MPN: IMW65R030M1HXKSA1

EUR 20.11

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0115 O, 0,0155 O, 58 A, PQFN 3,3 x 3,3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0115 O, 0,0155 O, 58 A, PQFN 3,3 x 3,3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Serie: OptiMOS 5, MPN: ISZ0804NLSATMA1

EUR 1.78

1

Infineon MOSFET, canale N, 0,0115 O, 0,0155 O, 58 A, PQFN 3,3 x 3,3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0115 O, 0,0155 O, 58 A, PQFN 3,3 x 3,3, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Serie: OptiMOS 5, MPN: ISZ0804NLSATMA1

EUR 0.90

1

Infineon MOSFET canal N,, PQFN 3,3 x 3,3 58 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, PQFN 3,3 x 3,3 58 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0115 O, 0,0155 O, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Série: OptiMOS 5, MPN: ISZ0804NLSATMA1

EUR 0.90

1

Infineon MOSFET canal N,, PQFN 3,3 x 3,3 58 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, PQFN 3,3 x 3,3 58 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 0,0115 O, 0,0155 O, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Série: OptiMOS 5, MPN: ISZ0804NLSATMA1

EUR 1.78

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247 58 A 650 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247 58 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,042 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.7V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: CoolSiC, MPN: IMW65R030M1HXKSA1

EUR 17.63

1

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247 58 A 650 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247 58 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 0,042 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5.7V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Matériau du transistor: Silicium, Série: CoolSiC, MPN: IMW65R030M1HXKSA1

EUR 20.11

1

Infineon MOSFET, canale N, 7,1 mΩ, 58 A, TDSON, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 7,1 mΩ, 58 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 28 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.1mm, MPN: BSC050NE2LSATMA1

EUR 0.31

1

Infineon MOSFET, canale N, 7,1 mΩ, 58 A, TDSON, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 7,1 mΩ, 58 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 28 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSC050NE2LSATMA1

EUR 0.50

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Infineon Carte d'évaluation KIT-XMC11-BOOT-001

Infineon Carte d'évaluation KIT-XMC13-BOOT-001

Infineon Carte d'évaluation KIT-XMC12-BOOT-001

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247 58 A 650 V, 3 broches

Infineon MOSFET, canale N, 0,042 Ω, 58 A, PG-TO247, Su foro

Infineon Scheda di valutazione KIT-XMC13-BOOT-001, CPU ARM Cortex M0

Infineon Scheda di valutazione KIT-XMC12-BOOT-001, CPU ARM Cortex M0

Infineon MOSFET canal N,, PQFN 3,3 x 3,3 58 A 100 V, 8 broches

Infineon Scheda di valutazione KIT-XMC11-BOOT-001, CPU ARM Cortex M0

Infineon Placa de evaluación KIT-XMC13-BOOT-001, con núcleo ARM Cortex M0

Infineon Placa de evaluación KIT-XMC12-BOOT-001 de, con núcleo ARM Cortex M0

Infineon Placa de evaluación KIT-XMC11-BOOT-001, con núcleo ARM Cortex M0

Infineon MOSFET, IMW65R030M1HXKSA1, N-Canal-Canal, 58 A, 650 V, 3-Pin, PG-TO247 CoolSiC Silicio

Infineon MOSFET, canale N, 0,0115 O, 0,0155 O, 58 A, PQFN 3,3 x 3,3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, ISZ0804NLSATMA1, N-Canal-Canal, 58 A, 100 V, 8-Pin, PQFN 3,3 mm x 3,3 mm OptiMOS 5 Si

Infineon MOSFET, canale N, 0,042 Ω, 58 A, PG-TO247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 0,042 Ω, 58 A, PG-TO247, Su foro

Infineon MOSFET, canale N, 0,0115 O, 0,0155 O, 58 A, PQFN 3,3 x 3,3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,0115 O, 0,0155 O, 58 A, PQFN 3,3 x 3,3, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET canal N,, PQFN 3,3 x 3,3 58 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, PQFN 3,3 x 3,3 58 A 100 V, 8 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247 58 A 650 V, 3 broches

Infineon MOSFET canal N,, PG-TO247 58 A 650 V, 3 broches

Infineon MOSFET, canale N, 7,1 mΩ, 58 A, TDSON, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 7,1 mΩ, 58 A, TDSON, Montaggio superficiale