Infineon MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 44 A, PEDAGGIO (HSOF-8), Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale N, 0,05 Ω, 44 A, PEDAGGIO (HSOF-8), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Serie: CoolMOS™ P7, MPN: IPT60R050G7XTMA1